IT之家 1 月 22 日新闻，新闻源 DigiTimes 明天（1 月 22 日）宣布博文，报道称三星电子否定了对于从新计划其第五代 10nm 级 DRAM（1b DRAM）的报道。IT之家昨日征引 ETNews 报道，三星电子外部为应答其 12nm 级 DRAM 内存产物面对的良率跟机能双重困局，已在 2024 岁尾决议在改良现有 1b nm 工艺的同时重新计划新版 1b nm DRAM。市场察看人士以为，三星修正 1b DRAM 计划的决议源于竞争压力。SK 海力士跟美光已在 HBM 中采取 1b DRAM，而三星仍在应用之前的 1a DRAM。别的，据报道，三星启动了名为“D1b-p”的开辟名目，旨在进步其 DRAM 营业的竞争力，“p”代表“prime”，意味着出色的品德，该名目重点存眷进步电源效力跟散热机能。▲ 三星电子基于现有 12nm 级制程的 32Gb DDR5只管三星是寰球 DRAM 范畴的引导者，但现在正面对来自 SK 海力士跟美光的挑衅。这两家公司都已胜利贸易化 1b DRAM，SK 海力士乃至在 2024 年 8 月率先实现了 1c DRAM 的开辟。有新闻称，三星 Galaxy S25 系列智妙手机行将宣布，美光将成为其重要的挪动 DRAM (LPDDR5) 供给商。这被以为是因为三星尚未完整处理 1b LPDDR5X 的良率跟散热成绩。三星经由过程该媒体予以否定，称相干报道禁绝确。此次变乱激发了业界普遍存眷，凸显了存储芯片市场竞争的剧烈水平。只管三星否定了从新计划的报道，但业内子士流露，三星的目的是晋升 1b DRAM 的机能跟良率。据称，从新计划波及工艺调剂，本钱昂扬且庞杂，三星已紧迫订购装备，打算在 2024 岁尾前实现装置跟测试，更新后的 1b DRAM 估计将于 2025 年第二或第三季器量产。